方海生；罗显刚；马千里。本发明属于芯片封装领域，并公开了一种控制芯片位错的方法。该方法包括：(a)将待处理芯片的基圆划分为核心区、过渡区和边缘区，其中，核心区是以待处理芯片的基圆的圆心为中心，直径为d1的圆形区域，过渡区是核心区外的圆环区域，且介于核心区和边缘区之间；(b)将待处理芯片置于惰性保护气体中，并分别加热核心区和边缘区，然后将待处理芯片退火，其中，核心区的加热温度高于边缘区，使得核心区的空位和氧间隙原子扩散，以及位错滑移至边缘区，从而完成待处理芯片的处理。通过本发明，有效控制芯片基圆的位错分布，提高芯片基圆高质量区域面积占比，提高芯片成品率和使用性能，降低生产成本。
