一种生长氮化镓薄膜的降低位错密度的方法及系统；方海生，聂圻春；ZL201910763813.9
本发明公开了一种基于图形衬底技术生长氮化镓薄膜的降低位错密度的方法及系统，属于氮化镓薄膜领域，该方法包括：根据爬坡弹性带理论和过渡状态理论，对氮化镓薄膜生长过程中原子扩散行为等进行分子动力学和动力学蒙特卡洛计算，模拟出不同衬底模型下原子表面扩散过程，得到扩散活化能矩阵，在以此为输入条件模拟不同温度、压强下薄膜形态、位错线的演化。从而解决目前氮化镓薄膜中位错密度影响其光、电学性能的问题，在此基础之上，进一步计算出低位错密度氮化镓薄膜的优化参数温度、压强及衬底类型等，对改善氮化镓薄膜的光、电学性能、提高其工业价值有着重要的意义。
